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去耦，又稱解耦。從電路來說， 總是可以區分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大， 驅動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候， 電流比較大， 這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。

去耦電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾，在電路中進一步減小電源與參考地之間的高頻干擾阻抗。

將旁路電容和去藕電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據電路中分布參數、以及驅動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。

用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。

低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路云母電容器就結構而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數大為下降，電容穩定性也比箔片式高。

頻率特性好，Q值高，溫度系數小不能做成大的容量廣泛應用在高頻電器中，并可用作標準電容器玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經燒結而成'獨石'結構

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管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN 結組成。在晶閘管處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2 結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3 結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0 的充電電流越大，就有可能1.節能降耗：減少了常規電容器柜90%的能耗。體積縮小50%左右，可節省土地、銅材、銀材、工程塑料等資源50%左右，導線電損、接點電損、器件等電損降低50%左右。2.過零投切：采用智能晶閘管復合開頭電路，實現等電壓投入，零電流切除、投切無涌流沖擊，無操作過電壓、無電弧重燃，大大提高了設備的耐電壓、電流沖擊、能耗小。